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硅基LED目前良率還偏低,高壓LED發(fā)展?jié)摿Υ?/h2>

2014-03-21 15:01:12

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     LED封裝技術(shù)目前主要往高發(fā)光效率、高可靠性、高散熱能力與薄型化四個方向發(fā)展,目前主要的亮點有硅基LED和高壓LED,硅基LED之所以引起業(yè)界越來越多的關(guān)注,是因為它比傳統(tǒng)的藍寶石基底LED的散熱能力更強,因此功率可做得更大,Cree就重點在發(fā)展硅基LED,它目前存在的主要問題是良率還較低,導(dǎo)致成本還偏高.

      高壓LED是另一大亮點,它因可大幅縮小DC-DC降壓電路的輸入輸出壓差,而進一步提升LED驅(qū)動電源的效率,這可有效降低LED燈具對散熱外殼的要求,從而降低LED燈具的總體成本。目前Cree、Osram和億光都在發(fā)展高壓LED工藝。億光電子((Everlight)研發(fā)二處處長林治民表示:“未來億光將擴大研發(fā)應(yīng)用高壓LED的產(chǎn)品,整合更多的組件,以打造簡便應(yīng)用之微小光引擎,為降低燈具成本,為固態(tài)照明的普及盡一份心力?!?br /> 硅基板的良率尚低

       硅基板的最大訴求為導(dǎo)熱更佳,李豫華進一步指出,次世代照明的LED封裝需求最重要的就是散熱問題,估計熱的問題5年內(nèi)難解,其次則是需要強而有力的結(jié)構(gòu)體和穩(wěn)定可靠的材料。另外光的表現(xiàn)也很重要,像均勻性、光源強度、出光效率是否更優(yōu)異以及光的型式表現(xiàn),最后就是量產(chǎn)和成本方面的管理。

       LED封裝在這30年的演進,最大的特色就是尺寸愈來愈小,因此熱效應(yīng)問題在輸入驅(qū)動電流較高時便凸顯出來。也就是說,現(xiàn)在高功率LED需求愈來愈大,當(dāng)放進小顆LED并將電源灌入后,熱量便會產(chǎn)生,為了要降低熱,光的亮度就會減小,這時為了要增加亮度,又得導(dǎo)入更高的電流,高電流又會產(chǎn)生更多的熱,如此成為一個循環(huán),熱量就不斷增加。接合溫度過高,結(jié)果便是每升高20℃,LED效能就要降低5%(或每增加1℃,效能降0.25%)。

      LED產(chǎn)生的90%熱量都是向下走,因此封裝技術(shù)中,散熱十分重要。整體而言,可供選擇的高功率LED次安裝基臺(sub-mount)材料有陶瓷(氧化鋁、氮化鋁)和硅。其中,鋁基板有翹曲問題,且以導(dǎo)熱系數(shù)和熱擴散來看,硅是最佳選擇。

      硅基LED封裝工藝流程為:絕緣及金屬層、芯片/金屬線鍵結(jié)及熒光材料涂布、透鏡組裝,再進行切割與測試。使用硅晶圓方法可以藉以控制穿孔型式(單一或多重),因而增加光萃取率,這是陶瓷基板所做不到的。李豫華并特別指出采鈺獨家的IC制造兼容晶圓級熒光粉涂布技術(shù),可以在LED芯片最上層造就薄而高效能的熒光粉出光層,可改善黃暈現(xiàn)象,且此技術(shù)可控制色溫的一致性。

       另外,半球形鏡頭為以光學(xué)設(shè)計方式增加出光率的方法之一,也是采鈺獨家設(shè)計的晶圓級產(chǎn)品,鏡頭設(shè)計符合各種出光形式的需求。此外,利用不同材料的折射率不同,由內(nèi)而外愈來愈小,亦可控制出光路徑使其出光率增加,此結(jié)構(gòu)模式可改善出光率逾7%。再者,藉由熒光粉補償過程可以達到緊密的色溫控制,因而良率可獲得提升,使原本低于70%的良率,經(jīng)由補償可以提升超過95%。目前采鈺的LED硅基封裝成品已經(jīng)在多處導(dǎo)入,包括大陸秦皇島、大陸京沈高速公路匝道的LED路燈及新竹清華大學(xué)校園等。

       不過,LED硅基封裝仍有許多技術(shù)上面臨的挑戰(zhàn)需要克服,例如材料方面,硅材有容易碎裂的缺點,且機構(gòu)強度也是問題所在。熒光粉則需考慮其電子亮度和熱及濕阻抗。另外,鏡頭的折射率及熱穩(wěn)定度、粘著性等都是考慮點。結(jié)構(gòu)方面,絕緣層、金屬層都有其挑戰(zhàn)。

       采鈺專攻LED照明,目前并沒有跨入LED大尺寸背光源的計劃。在2012年臺灣、日本、美國、加拿大將開始禁用白熾燈泡的政策下,采鈺認為,2011年第3季LED暖白色球泡燈銷售量將爆發(fā)性成長,公司也將球泡燈產(chǎn)品列入今年的發(fā)展重點。

覆晶型LED芯片封裝

       除了上述垂直式芯片外,覆晶型芯片也是業(yè)界極力發(fā)展的目標。覆晶型芯片的制作較立體型簡單許多,且可避掉復(fù)雜工藝,使得量產(chǎn)可行性大幅提升,加上后端芯片工藝金手指和過孔技術(shù)成熟輔助,以往必須種植多顆金球的固晶方式轉(zhuǎn)變?yōu)榇竺娣eP、N電極直接黏著支架,搭配上eutectic固晶方式,更大大的簡化了覆晶型芯片封裝的技術(shù)門坎,再者,縮短的封裝散熱路徑,相較于水平式芯片有較佳的散熱能力,驅(qū)動電壓也可下降,林治民強調(diào),在未來節(jié)能減碳的驅(qū)動下,覆晶型芯片封裝會是很好的解決方案。

       基于上述封裝的考慮,億光目前采用的主要封裝技術(shù)為熒光粉涂布以及轉(zhuǎn)注工藝。熒光涂布是億光發(fā)展的技術(shù),主要是在芯片上覆蓋一層薄薄的熒光層,如此可大幅提升組件的發(fā)光效率,目前億光已將此產(chǎn)品運用在高功率件上。

      轉(zhuǎn)注工藝技術(shù)則原本是使用在小型的表面貼裝型產(chǎn)品上面,林治民表示,億光在此產(chǎn)品上獲得了很大的成功,并進一步將此技術(shù)運用在高功率機種上,克服了硅成型與粘模等技術(shù)問題,目前由于TV等背光組件功率的提升與信賴性的要求,傳統(tǒng)的PPA反射蓋基板為有機材料,無法像硅或樹脂提供較佳的耐熱與耐光能力,為了有效提升信賴性,億光也計劃將此轉(zhuǎn)注工藝技術(shù)運用在背光組件的產(chǎn)品上。

      關(guān)于封裝尺寸,目前億光電子實驗當(dāng)中所能達成之最小高功率封裝體尺寸為3.0 ×3.0mm,甚至是2.0×2. 0mm以下的樣品制備,然而目前市售最普遍的規(guī)格仍為3.5×3.5mm產(chǎn)品,此一產(chǎn)品的應(yīng)用面極為廣泛,因此,億光林治民表示,身為開啟固態(tài)照明時代的先鋒分子,億光電子將持續(xù)將小尺寸高功率技術(shù)應(yīng)用于此產(chǎn)品上,以低成本的氮化鋁陶瓷基板搭配高反射率的反射鏡實施,制作此項產(chǎn)品所需的封裝支架,另外并會應(yīng)用共金固晶的工藝技術(shù),藉由金屬快速的將熱由LED中心地帶導(dǎo)向高導(dǎo)熱的氮化鋁陶瓷,以期降低LED組件的操作溫度,達成高效率(150lm/w)、高功率(3-5W操作)、長壽命(60000hrs)、低能耗的LED產(chǎn)品表現(xiàn)。

      再者,芯片的選擇也非常重要,林治民表示,億光將與全球的優(yōu)質(zhì)合作伙伴共同致力于現(xiàn)有芯片的質(zhì)量改良與降低成本,以及新芯片結(jié)構(gòu)的快速開發(fā),以期能以成本最低之大量生產(chǎn)的硅膠壓模工藝技術(shù),降低現(xiàn)有LED芯片工藝的封裝成本,并以快速反應(yīng)的光學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計符合新設(shè)計芯片結(jié)構(gòu)的取光效果,務(wù)求達成量產(chǎn)成本最低、效率最高的設(shè)計目標。

20W以上LED封裝

      在LED封裝方面,COB封裝技術(shù)是另一大重點,針對此,葳天科技總經(jīng)理邢陳震侖認為,10W以下LED不適用COB封裝技術(shù),這個領(lǐng)域主流上仍然采用單顆大功率封裝形式;20W以上的LED則較適合采用COB封裝技術(shù)。葳天科技專注于大功率LED封裝技術(shù)的研發(fā),晶元光電為其原始股東。葳天目前在中國大陸市場的經(jīng)營以礦工燈和建筑照明為主。邢陳震侖指出,礦工燈市場較為穩(wěn)定,雖然近幾年成長率并不高,但是葳天在此領(lǐng)域保持較高的占有率。

      2010年日本LED燈泡市場的快速擴張成為全球LED照明的典型范例。目前日本LED球泡燈市場主要轉(zhuǎn)為以COB多晶封裝為主,傳統(tǒng)大功率芯片及模塊則大多用于MR16等指向性LED燈源。

高壓LED封裝

      除高功率LED外,高壓LED的封裝也是一大重點。億光林治民表示,該公司已開發(fā)一系列高壓LED的封裝產(chǎn)品,橫跨了1W、2W及4W的產(chǎn)品市場,而高壓產(chǎn)品的問世,就是以全新的思維解決固態(tài)照明因降壓電路的存在而造成多余能量耗損的問題,并進而協(xié)助終端消費者降低購買成本。

      林治民強調(diào)指出,高壓LED產(chǎn)品的封裝技術(shù)重點在于延續(xù)上述優(yōu)點,此外更應(yīng)提供消費者更多的便利性,使得不同區(qū)域在不同的電壓操作條件下,都能得到快速且方便的應(yīng)用。例如億光電子推出的4W產(chǎn)品,可直接利用電路板的線路串并聯(lián)設(shè)計來符合全球110V及220V不同的電壓源需求。且由于單一組件封裝體的電壓跨壓,可達110V甚者220V,因此在開發(fā)高壓LED封裝時,億光電子堅持使用絕緣的陶瓷基板封裝體形式,以降低小尺寸之間正負電極火花放電的危險性。

     同時,由于高壓LED芯片本身具藍寶石基板,側(cè)向光較一般的芯片為強,因此在封裝時應(yīng)采用全角度均勻披覆的熒光粉設(shè)計,以求封裝體在全視角色溫一致,進而提升光的質(zhì)量。